晶圆的制备流程
目前晶圆的主要制备流程是:单晶生长、切片、抛光、沉积、制作电路、清洗、测试等环节。
其中,测试是评估晶圆质量的关键环节,它有助于确保晶圆的性能和可靠性。晶圆的检测项目包括封装检测、接触电阻检测、射频检测、缺陷检测、厚度检测、粗糙度检测、平整度检测等。
早期(20世纪70年代)的晶圆厚度检测是通过接触式方法检测,如:千分尺、轮廓仪等,这类方法较为简单直观,但测量精度低,而且很容易造成晶圆损伤,材料损失大。
而后随着科技的发展进步,非接触式测量成为晶圆厚度检测的主流方法。其中主要有白光干涉仪、射线荧光法、激光位移传感器、光谱共焦位移传感器等。这类方法从微观的层面测量,通过光学的原理进行非接触式检测,不会对晶圆造成损伤,测量精度较高。
目前,晶圆厚度检测技术已经发展到较高水平,各种非接触式测量技术不断涌现,为半导体行业提供可靠的技术支持。然而随着工艺节点的逐渐缩小,晶圆的厚度也逐渐变小,对晶圆厚度的检测要求也越来越高。